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記憶装置の物理 I(DRAMとSRAMのセル)
1個のトランジスタと1個のキャパシタでできたDRAMセルとリフレッシュ・破壊読み出し、6トランジスタのSRAMセル、なぜDRAMは密度が高くSRAMは速いのか、行/列アドレスの多重化やバンクによる並列性まで、メインメモリの物理を学びます。
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1個のトランジスタと1個のキャパシタでできたDRAMセルとリフレッシュ・破壊読み出し、6トランジスタのSRAMセル、なぜDRAMは密度が高くSRAMは速いのか、行/列アドレスの多重化やバンクによる並列性まで、メインメモリの物理を学びます。